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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664650B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011408318.5，技术领域涉及：H01L21/3105；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由贺腾飞设计研发完成，并于2020-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制造方法。所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有研磨阻挡层，在所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽中填充不同厚度的第一填充层，以获得不同纵深比的第一沟槽和第二沟槽；步骤S2：执行沉积工艺形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述半导体衬底的表面并填充剩余深度的所述第二沟槽；步骤S3：执行第一化学机械研磨工艺，以去除所述半导体衬底表面的所述隔离材料层。根据本发明，针对不同深宽比的沟槽的填充后的形成的台阶差，通过调整研磨液供给至研磨垫上的落点位置，实现研磨液在研磨垫上的分布的调整，从而实现了高光洁和高均匀性膜层质量，同时大幅降低研磨工艺成本。

本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有研磨阻挡层，在所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽包括位于第一区域的第一沟槽和位于第二区域的第二沟槽，在所述第一沟槽中和所述第二沟槽中填充有第一填充层，其中，在所述第一沟槽中的所述第一填充层的顶部与所述半导体衬底表面齐平，在所述第二沟槽中的所述第一填充层的顶部低于所述半导体衬底的表面； 步骤S2：执行沉积工艺形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述半导体衬底的表面并填充剩余深度的所述第二沟槽； 步骤S3：执行第一化学机械研磨工艺，以去除所述半导体衬底表面的所述隔离材料层，其中，所述第一化学机械研磨工艺包括： 执行第一化学机械研磨步骤，以去除所述半导体衬底表面的部分所述隔离材料层； 执行第二化学机械研磨步骤，以去除所述研磨阻挡层表面以上的剩余的所述隔离材料层， 其中，在所述第一化学机械研磨步骤和所述第二化学机械研磨步骤中，将研磨液供给至研磨垫的落点位置不同，在所述第一化学机械研磨步骤中所述落点位置距离所述研磨垫中心的距离为第一距离，在所述第二化学机械研磨步骤中所述落点位置距离所述研磨垫中心的距离为第二距离，其中，所述第一距离小于所述第二距离； 在所述步骤S2中，所述第二区域的所述隔离材料层具有凹陷，在所述步骤S3中，在所述第一化学机械研磨步骤去除所述半导体衬底表面的部分所述隔离材料层之后使所述研磨阻挡层以上的所述隔离材料层的高度为所述凹陷底部距离所述半导体衬底表面的高度的1.2-1.5倍。

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