广州集成电路技术研究院有限公司张峰溢获国家专利权
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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利一种FinFET器件及其形成方法和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011598393.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种FinFET器件及其形成方法和电子装置是由张峰溢;苏廷锜;黄崇哲;苏韦菘设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种FinFET器件及其形成方法和电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种FinFET器件及其形成方法。该形成方法在进行蚀刻之前，利用保护膜覆盖鳍状物，然后对鳍状物进行光刻以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；之后利用第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和对应的保护膜，去除第一鳍结构并形成第一组预设鳍状物；之后通过各向同性蚀刻去除残留的第一鳍结构，在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构。因而避免了现有技术中蚀刻后留下的圆角问题；同时形成的凹结构有利于维持水平线，不会造成器件的弯曲。
本发明授权一种FinFET器件及其形成方法和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 在半导体基板上形成多个鳍状物； 用保护膜覆盖所述多个鳍状物的表面； 对所述多个鳍状物进行光刻处理，以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，所述第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构； 进行两次刻蚀工序，其中，通过所述第一蚀刻图案进行第一次刻蚀工序，蚀刻第一组鳍状物和相应的保护膜,去除第一鳍结构并形成第一组预设鳍状物，水平方向切割和垂直方向切割的交汇点形成残留的第一鳍结构； 进行第二次刻蚀工序，所述第二次刻蚀工序为各向同性蚀刻，继续去除残留的第一鳍结构，并在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构，所述凹结构低于基板水平线； 对所述多个鳍状物进行光刻处理，以在第二组鳍状物上形成第二蚀刻图案，所述第二组鳍状物包含待去除的第二鳍结构； 通过所述第二蚀刻图案蚀刻第二组鳍状物，去除第二鳍结构并形成第二组预设鳍状物，同时在对应第二组鳍状物的基板上形成凸结构，所述凸结构高于基板水平线。
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