中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金志勋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011558638.9，技术领域涉及：H01L23/532；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由金志勋;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;崔恒玮设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及半导体结构的形成方法，旨在解决现有工艺形成的介电薄膜，已经不能满足现阶段的半导体结构对性能和速度的要求的技术问题。所述半导体结构包括：金属结构；以及设置在所述金属结构之间的介电薄膜，其中，所述介电薄膜包括：择优取向层及设置于所述择优取向层之上的无定型非结晶层，所述择优取向层为晶体定向的膜层，所述无定型非结晶层为晶体不定向的膜层。该结构的介电薄膜，由于下层择优取向层的存在，使得诱电率得以降低，从而有效降低了择优取向层和无定型非结晶层的介电常数，从而使得整个介电薄膜的介电常数得以降低。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 金属结构；以及 设置在所述金属结构之间的介电薄膜，其中， 所述介电薄膜包括： 择优取向层及设置于所述择优取向层之上的无定型非结晶层，所述择优取向层为晶体定向的膜层，所述无定型非结晶层为晶体不定向的膜层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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