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龙图腾网获悉上海南芯半导体科技股份有限公司申请的专利一种驱动并联电阻的检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114705916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210349652.0，技术领域涉及：G01R27/14；该发明授权一种驱动并联电阻的检测电路是由关晶晶;冯林设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种驱动并联电阻的检测电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种驱动并联电阻的检测电路，包括：运算放大器、外部并联电阻R、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、电阻Rz1、电阻Rz2、电阻Rz3、电阻Rz4以及逻辑电路组。本发明通过运算放大器构成箝位电路，给驱动引脚的外部并联电阻R上加固定电压，从而产生和外部并联电阻R成反比的电流信息。然后进行电流比较，比较的参考电流同样来自于运放的箝位环路，参考电流由箝位电路和内部电阻决定，可识别的驱动外部并联电阻R档位可通过内部电阻Ra、Rb、Rc进行设置。由于电阻Rz1的串联，能够产生一个跟随DRV端极点变化的零点，从而补偿该极点对环路的影响。

本发明授权一种驱动并联电阻的检测电路在权利要求书中公布了：1.一种驱动并联电阻的检测电路，其特征在于，包括：运算放大器、外部并联电阻R、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、电阻Rz1、电阻Rz2、电阻Rz3、电阻Rz4以及逻辑电路组； 所述运算放大器的反相输入端与所述MOS管M9的漏极连接，所述运算放大器的输出端分别与所述MOS管M1的栅极、MOS管M6的栅极、MOS管M7的栅极、MOS管M8的栅极连接；所述MOS管M9的源极接地； 所述MOS管M1的源极串联所述电阻Rz1和所述外部并联电阻R之后接地；所述MOS管M1的漏极分别与所述MOS管M2的漏极和栅极连接；所述MOS管M6的源极串联所述电阻Rz2和电阻Ra之后接地，所述MOS管M7的源极串联所述电阻Rz3和电阻Rb之后接地，所述MOS管M8的源极串联所述电阻Rz4和电阻Rc之后接地；所述MOS管M6的漏极与所述MOS管M3的漏极连接；所述MOS管M7的漏极与所述MOS管M4的漏极连接；所述MOS管M8的漏极与所述MOS管M5的漏极连接； 所述MOS管M6的漏极、所述MOS管M7的漏极以及所述MOS管M8的漏极均与所述逻辑电路组连接； 所述MOS管M2栅极还分别与所述MOS管M3的栅极、MOS管M4的栅极、MOS管M5的栅极连接；所述MOS管M2的源极、所述MOS管M3的源极、所述MOS管M4的源极以及所述MOS管M5的源极均连接电源； 所述电阻Rz1和所述外部并联电阻R之间设置有第一开关K1；所述外部并联电阻R并联有功率管寄生电容Cg。

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