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龙图腾网获悉西交利物浦大学申请的专利增强栅控能力的p型氮化镓器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210421280.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权增强栅控能力的p型氮化镓器件及其制作方法是由张元雷;王惟生;孙志伟;李帆;赵胤超;刘雯设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本增强栅控能力的p型氮化镓器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强栅控能力的p型氮化镓器件，包括：衬底，由下至上依次包括氮化镓层、氮化铝镓层和P型氮化镓层，衬底表面包括源极区、与源极区相对的漏极区、以及位于源极区和漏极区之间的栅极区，栅极区包括第一刻蚀区和自第一刻蚀区两侧向外延伸的第二刻蚀区，第一刻蚀区向内部分刻蚀P型氮化镓层以形成第一凹槽，第二刻蚀区向内完全刻蚀P型氮化镓层以形成第二凹槽；源极；漏极；介电层；栅极；接触电极，位于第二凹槽内，接触电极的一端与氮化镓层表面接触，另一端与栅极底部接触；使得接触电极能够与氮化镓层表面的二维电子气接触，通过控制二维电子气来控制P型氮化镓层中空穴，从而增加栅极的控制能力。

本发明授权增强栅控能力的p型氮化镓器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种增强栅控能力的p型氮化镓器件，其特征在于，包括： 衬底，由下至上依次包括氮化镓层、氮化铝镓层和P型氮化镓层，所述衬底表面包括源极区、与所述源极区相对的漏极区、以及位于所述源极区和所述漏极区之间的栅极区，所述栅极区包括第一刻蚀区和自所述第一刻蚀区两侧向外延伸的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区向内部分刻蚀所述P型氮化镓层以形成第一凹槽，所述第二刻蚀区向内完全刻蚀所述P型氮化镓层以形成第二凹槽； 源极，位于所述源极区； 漏极，位于所述漏极区； 介电层，位于所述源极和所述漏极之间的所述p型氮化镓层表面； 栅极，位于所述第一凹槽和所述第二凹槽内，并位于所述介电层上方； 接触电极，位于所述第二凹槽内，所述接触电极的一端与所述氮化镓层表面接触，另一端与所述栅极底部接触； 所述p型氮化镓器件还包括二维电子气层，所述二维电子气层位于所述氮化镓层和所述氮化铝镓层之间，所述接触电极与所述二维电子气层接触。

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