成都辰显光电有限公司田文亚获国家专利权
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龙图腾网获悉成都辰显光电有限公司申请的专利微发光器件的成型方法以及发光面板的成型方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110120583.1，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权微发光器件的成型方法以及发光面板的成型方法是由田文亚;盛翠翠;姚志博设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本微发光器件的成型方法以及发光面板的成型方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微发光器件的成型方法以及发光面板的成型方法，微发光器件的成型方法包括：在第一基板上成型初始外延部，初始外延部包括层叠设置的第二半导体层、光产生层、第一半导体层以及第一电极层，第二半导体层位于第一基板以及第一电极层之间；将初始外延部与第二基板层叠设置并使得第一电极层与第二基板连接；剥离第一基板；第二电极层与初始外延部共同构成器件层；沿第二电极层朝向第一电极层的方向方向刻穿器件层，以在第二基板上形成多个阵列分布的微发光器件。本发明实施例能够降低微发光器件在成型的过程中出现断晶或者边角碎裂问题的概率，提高所成型的微发光器件的良率。
本发明授权微发光器件的成型方法以及发光面板的成型方法在权利要求书中公布了：1.一种微发光器件的成型方法，其特征在于，包括： 在第一基板上成型初始外延部，所述初始外延部包括层叠设置的第二半导体层、光产生层、第一半导体层以及第一电极层，所述第二半导体层位于所述第一基板以及所述第一电极层之间； 将所述初始外延部与第二基板层叠设置并使得所述第一电极层与第二基板连接； 剥离所述第一基板； 在所述第二半导体层背离所述第一电极层的表面成型第二电极层，所述第二电极层与所述初始外延部共同构成连续的器件层； 沿所述第二电极层朝向所述第一电极层的方向刻穿所述器件层，以在所述第二基板上形成多个阵列分布的微发光器件； 碳化处理所述微发光器件所在的所述第二基板，以使所述第二基板位于每相邻两个所述微发光器件之间的区域彼此至少部分独立设置。
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