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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利隧道级联多有源区半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927940B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210540965.4，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权隧道级联多有源区半导体激光器及其制备方法是由熊聪;祁琼;林楠;常津源;刘素平;马骁宇设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本隧道级联多有源区半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种隧道级联多有源区半导体激光器的制备方法，包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长第一发光区；在所述第一发光区上生长第一反偏的PN结构；在所述的第一反偏的PN结构上生长第二发光区；在所述第二发光区上生长第二反偏的PN结构；在所述第二反偏的PN结构上生长第三发光区；以及在所述第三发光区上制作欧姆接触层，并在所述欧姆接触层和衬底表面制作电极，从而完成隧道级联多有源区半导体激光器的制备。本公开还提供一种隧道级联多有源区半导体激光器。

本发明授权隧道级联多有源区半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种隧道级联多有源区半导体激光器的制备方法，包括： 在衬底上生长缓冲层； 在所述缓冲层上依次生长N型下限制层、N型下波导层、第一量子垒层、第一量子阱层、第二量子垒层、第一P型内波导层，形成第一发光区； 在所述第一发光区上生长第一P型隧道结层和第一N型隧道结层，形成第一反偏的PN结构； 在所述的第一反偏的PN结构上依次生长第一N型内波导层、第三量子垒层、第二量子阱层、第四量子垒层、第二P型内波导层，形成第二发光区； 在所述第二发光区上生长第二P型隧道结层和第二N型隧道结层，形成第二反偏的PN结构； 在所述第二反偏的PN结构上依次生长第二N型内波导层、第五量子垒层、第三量子阱层、第六量子垒层、P型上波导层、P型上限制层，形成第三发光区；以及 在所述第三发光区上制作欧姆接触层，并在所述欧姆接触层和衬底表面制作电极，从而完成隧道级联多有源区半导体激光器的制备，所制备的半导体激光器在150ns、10KHz的脉冲条件下可实现220W峰值功率输出； 其中，N型下限制层为N型铝镓砷材料，铝组分为0.5，厚度为1.5-1.9um；N型下波导层为N型铝镓砷材料，铝组分为0.45，厚度为0.4-0.6um；第一P型内波导层、第二P型内波导层为P型铝镓砷材料，铝组分为0.45，厚度为0.5-0.9um；第一N型内波导层、第二N型内波导层为N型铝镓砷材料，铝组分为0.45，厚度为0.5-0.9um；第一P型隧道结层、第二P型隧道结层为P型砷化镓材料，厚度为10~20nm；第一N型隧道结层、第二N型隧道结层为N型砷化镓材料，厚度为10~20nm；P型上波导层为P型铝镓砷材料，铝组分为0.45，厚度为0.4-0.6um；P型上限制层为P型铝镓砷材料，铝组分为0.5，厚度为0.6-0.8um。

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