台湾积体电路制造股份有限公司郭丰维获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装件结构、封装件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210172663.6，技术领域涉及：H01L23/66；该发明授权封装件结构、封装件及其形成方法是由郭丰维;廖文翔设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装件结构、封装件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种封装件结构、封装件及其形成方法。封装件结构包括第一管芯，位于第一管芯上方并且电连接到第一管芯的第二管芯，在第二管芯周围的绝缘材料，延伸穿过绝缘材料并电连接到第二管芯的第一天线，第一天线与第二管芯的第一侧壁相邻，其中第一天线包括延伸穿过绝缘材料的第一导电板以及延伸穿过绝缘材料的多个第一导电柱，其中第一导电板位于多个第一导电柱和第二管芯的第一侧壁之间。
本发明授权封装件结构、封装件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装件结构，包括： 第一管芯； 第二管芯，位于所述第一管芯上方并电连接到所述第一管芯； 绝缘材料，位于所述第二管芯周围； 第一天线，延伸穿过所述绝缘材料并电连接到所述第二管芯，所述第一天线与所述第二管芯的第一侧壁相邻，其中，所述第一天线包括： 第一导电板，延伸穿过所述绝缘材料；和 多个第一导电柱，延伸穿过所述绝缘材料，其中，所述第一导电板位于所述多个第一导电柱和所述第二管芯的所述第一侧壁之间，并且其中所述第一导电板和所述多个第一导电柱与所述第一管芯重叠，所述第一导电板和所述多个第一导电柱之间形成天线振荡腔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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