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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110232688.6，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由伊晓燕;宋武睿;刘志强;梁萌;王军喜;李晋闽设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：将连接层转移至第一衬底上或在第一衬底上制备连接层，其中，连接层为至少一层且每层为具有单原子或单分子厚度的层状二维材料，连接层的层间原子间通过范德华力结合，和或连接层与第一衬底的原子间通过范德华力结合。在连接层上外延激光器主体部分，连接层与激光器主体部分的原子间通过范德华力结合。对连接层进行机械剥离，将承载有激光器主体部分的连接层转移到覆盖有第一反射镜的第二衬底上。通过增加连接层，使得激光器主体部分容易从第一衬底上机械剥离开，相对于传统的激光剥离，简化工艺流程，降低了激光器件的生产成本，同时更易于转移，拓展氮化物光电器件的应用。

本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括： 将连接层02转移至第一衬底01上或在所述第一衬底01上制备所述连接层02，其中，所述连接层02为至少一层且每层为具有单原子或单分子厚度的层状二维材料，所述连接层02的层间原子间通过范德华力结合，和或所述连接层02与所述第一衬底01的原子间通过范德华力结合； 在所述连接层02上外延激光器主体部分08，所述连接层02与所述激光器主体部分08的原子间通过范德华力结合； 对所述连接层02进行机械剥离，将承载有所述激光器主体部分08的连接层02转移到覆盖有第一反射镜11的第二衬底12上； 在所述激光器主体部分08的P电极区域制备离子注入高阻区13或介质薄膜电流阻挡层17； 在所述激光器主体部分08上制备透明导电层09，并在所述透明导电层09上制备第二反射镜10，其中，所述第二反射镜10的反射率小于所述第一反射镜11的反射率； 分别刻蚀到所述p电极区域的所述透明导电层09和所述激光器主体部分08中n电极区的n型掺杂GaN电子注入层03，得到p电极图形和n电极图形； 采用电子束蒸发或者溅射的方法，分别在所述n电极图形和所述p电极图形上制备第一金属电极14和第二金属电极15； 表面沉积一层钝化层并光刻腐蚀去除部分钝化层，得到钝化层16，暴露出所述第二反射镜10，所述第一金属电极14和所述第二金属电极15； 所述在所述连接层02上外延生长激光器主体部分08包括： 在所述连接层02上依次外延生长n型掺杂GaN电子注入层03、多量子阱发光层04、p型掺杂AlGaN电子阻挡层05、p型掺杂GaN空穴注入层06和重掺杂p型GaN欧姆接触层07，其中，所述多量子阱发光层04为AlXGa1-XNGaN或InYGa1-YNGaN量子阱发光层，0X1，0Y1。

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