江西兆驰半导体有限公司程龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210641146.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片是由程龙;郑文杰;曾家明;刘春杨;胡加辉设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片，该外延片通过在GaN基LED外延片中设置三维成核层，三维成核层包括依次层叠的第一三维成核层、三维成核温度转变层以及第二三维成核层，其中，生长第一三维成核层时的温度低于生长三维成核温度转变层和第二三维成核层的温度，在生长三维成核温度转变层时的温度逐渐递增，具体的，第一三维成核层温度较低可以有效降低成核层核密度，三维成核温度转变层可以使核的纵向生长高于横向生长发展成GaN小岛，第二三维成核层生长温度较高则会使GaN小岛横向生长加剧逐渐使GaN小岛融合，核密度降低，减少线缺陷的产生，提高GaN的晶体质量。
本发明授权一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括三维成核层，所述三维成核层包括依次层叠的第一三维成核层、三维成核温度转变层以及第二三维成核层，其中，生长所述第一三维成核层时的温度低于生长所述三维成核温度转变层和所述第二三维成核层的温度，且在生长所述第一三维成核层和所述第二三维成核层时的温度为恒温，在生长所述三维成核温度转变层时的温度逐渐递增； 在生长所述三维成核层的过程中通入Ga源，其中，在生长所述第一三维成核层的过程中，控制Ga源流量逐渐升高。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励