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龙图腾网获悉无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院申请的专利一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置以及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115078943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210555179.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置以及系统是由周德金;徐宏;钟磊;濮旦晨;葛荣设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置以及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板，安装架，顶紧气缸，连接座，温度检测架结构，压力检测承重架结构，测试架结构，处理器，触摸显示屏和寄存器，所述的横向底板的上部右侧螺栓安装有安装架；所述的安装架的左侧螺栓安装有顶紧气缸；所述的顶紧气缸的下部螺栓安装有连接座；所述的连接座的下部安装有温度检测架结构；所述的横向底板的上部左侧安装有压力检测承重架结构；所述的安装架的右侧安装有测试架结构；所述的安装架的上部安装有处理器。本发明电流电压可以灵活调整，以及增加测试功能。

本发明授权一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置以及系统在权利要求书中公布了：1.一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，其特征在于，该功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板1，安装架2，顶紧气缸3，连接座4，温度检测架结构5，压力检测承重架结构6，测试架结构7，处理器8，触摸显示屏9和寄存器10，所述的横向底板1的上部右侧螺栓安装有安装架2；所述的安装架2的左侧螺栓安装有顶紧气缸3；所述的顶紧气缸3的下部螺栓安装有连接座4；所述的连接座4的下部安装有温度检测架结构5；所述的横向底板1的上部左侧安装有压力检测承重架结构6；所述的安装架2的右侧安装有测试架结构7；所述的安装架2的上部安装有处理器8；所述的安装架2的前侧安装有触摸显示屏9；所述的触摸显示屏9的右下侧安装有寄存器10；所述的温度检测架结构5包括压力检测板51，温度传感器52，导热铜板53，透明罩54和配重环55，所述的压力检测板51的内侧中间位置安装有温度传感器52；所述的压力检测板51内侧下部嵌入有导热铜板53；所述的压力检测板51的外侧从胶接有透明罩54；所述的透明罩54的下部胶接有配重环55；所述的压力检测承重架结构6包括安装板61，压力传感器62，承载板63，防尘套64和防护环65，所述的安装板61螺栓安装在横向底板1的上部左侧；所述的安装板61的上部四角处安装有压力传感器62；所述的压力传感器62的上部安装有承载板63；所述的承载板63的外侧下部套接有防尘套64；所述的防尘套64的外侧套接设置有安装板61的外侧；所述的防尘套64的下部胶接有防护环65；所述的测试架结构7包括蓄电池71，逆变器72，电位器73，源区接头74和漏区接头75，所述的蓄电池71安装在安装架2的右侧；所述的蓄电池71的上部安装有逆变器72；所述的逆变器72的右侧安装有电位器73；所述的电位器73分别与源区接头74和漏区接头75导线连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢1层101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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