无锡韦感半导体有限公司陈骁获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡韦感半导体有限公司申请的专利一种微机械结构释放窗口的封口结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115159440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210747805.7，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种微机械结构释放窗口的封口结构及其制备方法是由陈骁;何政达;万蔡辛;赵成龙;蔡春华;巩啸风;蒋樱;林谷丰设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微机械结构释放窗口的封口结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微机械结构释放窗口的封口结构及其制备方法。所述封口结构包括封体结构和保护结构；封体结构包括封帽和封体，封体用于填充释放窗口，封帽呈柱形，用于完全盖住释放窗口；保护结构设置在封体结构的外侧，用于完全包裹住封体结构。封口结构的制备步骤包括：沉积封体结构材料，对释放窗口进行封口处理，利用干法刻蚀工艺去除释放窗口以外的封体薄膜材料；沉积保护结构材料，加强封口外部边缘保护，利用干法刻蚀工艺去除释放窗口以外的保护结构薄膜材料，形成密封恒压腔体。本发明可以改善微机械结构的完整性，实现表面完整的薄膜；保护结构可以避免封口结构被腐蚀损坏或封口结构随时间与环境影响老化后导致有泄漏影响密封腔体恒压。
本发明授权一种微机械结构释放窗口的封口结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，所述封口结构包括封体结构和保护结构1； 所述封体结构，包括封帽2和封体3；所述封体3，用于填充释放窗口4；所述封帽2呈柱体形状或台体形状，用于完全盖住释放窗口4； 所述保护结构1，设置在所述封体结构的外侧，用于完全包裹住封体结构； 所述封体结构为复合膜层，其中，一层通过PECVD方式沉积，完全封口时的一层通过LPCVD方式沉积。
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