北京北方华创微电子装备有限公司钟涛获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210856952.8，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备是由钟涛;何忠义;周清军设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备，控制方法包括：将晶圆传送至静电卡盘上，对晶圆进行吸附；待对晶圆进行工艺处理后，向反应腔室中通入解吸附气体，控制腔室压力为第一设定压力，并向上电极施加第一设定功率，以将解吸附气体激发为等离子体；在维持等离子体后的第一设定时长内，将晶圆抬升至设定高度；在抬升之后，在第二设定时长内，将上电极的功率从第一设定功率逐渐降至0，实现对等离子体的灭辉；同时将腔室压力从第一设定压力逐渐降至第二设定压力，完成对晶圆的解吸附。本发明能够解决工艺过程中晶圆在吸附和解除吸附过程中产生的颗粒问题，提高产品良率。
本发明授权对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法，用于半导体设备中，所述半导体设备包括反应腔室和设置在所述反应腔室中的静电卡盘，其特征在于，包括： 将所述晶圆传送至所述静电卡盘上，对所述晶圆进行吸附； 待对所述晶圆进行工艺处理后，向所述反应腔室中通入解吸附气体，控制所述反应腔室的腔室压力为第一设定压力，并向上电极施加第一设定功率，以将所述解吸附气体激发为等离子体； 在维持所述等离子体后的第一设定时长内，将所述晶圆抬升至设定高度； 在抬升之后，在第二设定时长内，将所述上电极的功率从所述第一设定功率逐渐降至0，实现对所述等离子体的灭辉；在等离体子灭辉过程中将所述腔室压力从所述第一设定压力逐渐降至第二设定压力，完成对所述晶圆的解吸附。
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