无锡市华辰芯光半导体科技有限公司李明欣获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市华辰芯光半导体科技有限公司申请的专利一种边发射半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210873914.3，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种边发射半导体激光器及其制备方法是由李明欣;魏明;宋云菲设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种边发射半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种边发射半导体激光器及其制备方法，边发射半导体激光器包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层上的第一半导体包层，所述第一半导体包层包括脊形区；位于所述脊形区中的若干第一刻蚀槽，所述若干第一刻蚀槽沿着出光方向间隔排布；位于脊形区中的若干氧化层组，各氧化层组间隔设置，氧化层组与第一刻蚀槽一一对应，任意一个所述氧化层组包括至少一个氧化层，所述氧化层位于第一刻蚀槽的周围，所述氧化层在出光方向排布的侧壁向外凸出，所述氧化层的折射率小于在出光方向上相邻的氧化层之间的脊形区的折射率。所述边发射半导体激光器能放大基模、抑制高阶模式。
本发明授权一种边发射半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种边发射半导体激光器，具有相对设置的前腔面和后腔面，光从所述前腔面出射，其特征在于，包括： 半导体衬底层； 位于所述半导体衬底层上的有源层； 位于所述有源层上的第一半导体包层，所述第一半导体包层包括脊形区； 位于所述脊形区中的若干第一刻蚀槽，所述若干第一刻蚀槽沿着出光方向间隔排布； 位于脊形区中的若干氧化层组，各氧化层组间隔设置，氧化层组与第一刻蚀槽一一对应，任意一个所述氧化层组包括至少一个氧化层，所述氧化层位于第一刻蚀槽的周围，所述氧化层在出光方向排布的侧壁向外凸出，以使在所述出光方向上相邻的所述氧化层之间的脊形区形成第一透镜区，且相邻的所述前腔面和所述氧化层之间、以及相邻的所述后腔面和所述氧化层之间均形成第二透镜区；所述氧化层的在出光方向排布的侧壁的曲率半径为0.1mm～10mm，所述氧化层的折射率小于在出光方向上相邻的氧化层之间的脊形区的折射率。
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