中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司尹洪权获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223940B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110400331.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及制备方法是由尹洪权;周娜;李俊杰;李琳;王佳设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制备方法，所述方法包括：在已形成有源区和字线的衬底上依序叠加硅层、金属层及硬掩膜层，形成叠加层；去除需形成位线和存储节点接触区域之外的所述叠加层，并对去除区域填充绝缘材料，其中所述存储节点接触区域为所述有源区需与存储节点接触的区域；去除所述存储节点接触区域的所述硬掩膜层以形成焊盘孔，并在所述焊盘孔中填充金属材料以形成着陆焊盘。
本发明授权一种半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 在已形成有源区和字线的衬底上依序叠加硅层、金属层及硬掩膜层，形成叠加层； 去除需形成位线和存储节点接触区域之外的所述叠加层，并对去除区域填充绝缘材料，其中所述存储节点接触区域为所述有源区需与存储节点接触的区域； 去除所述存储节点接触区域的所述硬掩膜层以形成焊盘孔，并在所述焊盘孔中填充金属材料以形成着陆焊盘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励