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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利等离子处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115250648B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180004939.3，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权等离子处理装置是由田村智行;池永和幸设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子处理装置在说明书摘要公布了：为了提供使处理中的晶片的电位稳定且使处理的成品率提升的等离子处理装置，等离子处理装置具备：处理室，其配置于真空容器内部，在内侧形成等离子；晶片载台，其配置于该处理室内部，在其上载置有处理对象的晶片；静电卡盘，其包含配置于覆盖该晶片载台上表面的电介质制的膜内且用于静电吸附搁放于该电介质制的膜上的所述晶片的膜状的静电吸附电极；高频电极，其配置于所述晶片载台内部，在所述晶片的处理中被供给高频电力；和顶升销，其配置于所述晶片载台内部，在上下方向上移动来使所述晶片上下移动，且下部与导电体制的构件连接，在该等离子处理装置中，将所述静电吸附电极与所述晶片之间的电阻值设为Resc，将所述等离子与隔着所述处理室的内壁面的接地电极之间的电阻设为Rc，将所述等离子与构成所述处理室的所述真空容器之间的耐电压设为Vt，将所述晶片的处理中的实际所述晶片所产生的自偏压电压Vdc与其预想值Vdcs的差的预想的最大值设为δmax，将直流电源与电连接到其的所述顶升销的下部之间的电阻值Rps设定在100MΩ＞Rps＞1{Vtδmax‑Vt·Rc‑1Resc}的范围，并且，将所述静电吸附电极的电位的平均值作为Eesc，在所述晶片的处理中，将所述顶升销下部的电压值Eps和所述静电吸附电极的电位的平均值Eesc调节成与所述晶片的自偏压电压的预想值Vdcs一致。

本发明授权等离子处理装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子处理装置，具备： 处理室，其配置于真空容器内部，在内侧形成等离子； 晶片载台，其配置于该处理室内部，在其上载置有处理对象的晶片； 静电卡盘，其包含配置于覆盖该晶片载台上表面的电介质制的膜内且用于静电吸附搁放于该电介质制的膜上的所述晶片的膜状的静电吸附电极； 高频电极，其配置于所述晶片载台内部，在所述晶片的处理中被供给高频电力；和 顶升销，其配置于所述晶片载台内部，在上下方向上移动来使所述晶片上下移动，且下部与导电体制的构件连接， 配置于所述处理室内部且面对所述等离子的地线电极相对于所述晶片的面积的比率是1.5以上且3以下， 所述等离子处理装置的特征在于， 将所述静电吸附电极与所述晶片之间的电阻值设为Resc，将所述等离子与隔着所述处理室的内壁面的接地电极之间的电阻设为Rc，将所述等离子与构成所述处理室的所述真空容器之间的耐电压设为Vt，将所述晶片的处理中的实际所述晶片所产生的自偏压电压Vdc与其预想值Vdcs的差的预想的最大值设为δmax，将通过所述高频电力形成在所述晶片上的电位的振幅值设为Vppw，将所述自偏压电压的预想值Vdcs设定为Vppw的给定的系数倍与所述δmax之和，将直流电源与电连接到其的所述顶升销的下部之间的电阻值Rps设定在100MΩ＞Rps＞1{Vtδmax-Vt·Rc-1Resc}的范围， 而且，将所述静电吸附电极的电位的平均值设为Eesc，在所述晶片的处理中，将所述顶升销下部的电压值Eps和所述静电吸附电极的电位的平均值Eesc调节成与所述晶片的自偏压电压的预想值Vdcs一致， 所述δmax根据Vppw的最大值确定。

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