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龙图腾网获悉派恩杰半导体(杭州)有限公司申请的专利基于SiC功率器件的门级缓冲电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115314038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210849411.2，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权基于SiC功率器件的门级缓冲电路是由徐洋;王华;汪剑华;雷洋设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SiC功率器件的门级缓冲电路在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件应用技术，公开了基于SiC功率器件的门级缓冲电路，其包括驱动单元和推挽电路单元；推挽电路单元用于对驱动单元的驱动电流进行缓冲处理；其推挽电路单元包括第一稳压器Z1、第二稳压器Z2、第三稳压器Z3和第四稳压器Z4、第一三极管T1、第二三极管T2、第一晶体管Q1和第二晶体管Q2。本发明通过第一稳压器Z1和第二稳压器Z2的设置，从而有效地避免推挽上P下N直通；这样就不会导致过高的电流；通过第三稳压器Z3和第四稳压器Z4的设计用于调节MOSFET门极驱动电压；通过选择不同电流电压等级的第一晶体管Q1和第二晶体管Q2实现不同电流等级的峰值电流驱动能力。

本发明授权基于SiC功率器件的门级缓冲电路在权利要求书中公布了：1.基于SiC功率器件的门级缓冲电路，包括驱动单元和推挽电路单元；推挽电路单元用于对驱动单元的驱动电流进行缓冲处理；其特征在于，推挽电路单元包括第一稳压器Z1、第二稳压器Z2、第三稳压器Z3和第四稳压器Z4、第一三极管T1、第二三极管T2、第一晶体管Q1和第二晶体管Q2； 第一三极管T1的基极与第一稳压器Z1的反向端连接，第一稳压器Z1的正向端与驱动单元连接；第一三极管T1的发射极接驱动正向电压VDD；第一三极管T1的集电极与第三稳压器Z3的正向端及第四稳压器Z4的反向端连接； 第二三极管T2的基极与第二稳压器Z2的正向端连接，第二稳压器Z2的反向端与驱动单元连接；第二三极管T2的发射极连接驱动负向电压VEE；第二三极管T2的集电极与第四稳压器Z4的反向端及第三稳压器Z3的正向端连接； 第一晶体管Q1的栅极与第三稳压器Z3的反向端连接，第一晶体管Q1的源极接驱动正向电压VDD，第一晶体管Q1的漏极与SiC功率器件连接； 第二晶体管Q2的栅极与第四稳压器Z4的正向端连接，第二晶体管Q2的源极连接驱动负向电压VEE，第二晶体管Q2的漏极与SiC功率器件连接； 还包括第三晶体管Q3；第三晶体管Q3的漏极与驱动单元连接，第三晶体管Q3的栅极与第二三极管T2的集电极及第四稳压器Z4的反向端连接，第三晶体管Q3的源极接地。

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