盛合晶微半导体(江阴)有限公司陈彦亨获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利一种晶圆级封装器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210955805.6，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种晶圆级封装器件及其制备方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级封装器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆级封装器件及其制备方法，所述晶圆级封装器件至少包括模塑层和制作于所述模塑层中的3DIPD结构。本发明通过在模塑层中制备集成的3DIPD结构，可以实现制备更高性能的系统式封装结构，另外，本发明的晶圆级封装器件可以同时整合毫米波天线电容电感电晶体GPUPMUDDR闪存滤波器等各种电子芯片和元器件，具有更高的灵活性和更广泛的相容性，从而缩小封装尺寸，降低封装成本。
本发明授权一种晶圆级封装器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级封装器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括： 制备模塑层； 在所述模塑层中形成3DIPD结构；所述3DIPD结构包括3D电感IPD结构、3D电容IPD结构及3D电阻IPD结构中的一种或者多种的组合； 在所述模塑层中制备所述3D电感IPD结构的制备方法包括： 提供具有释放层的衬底，于所述释放层表面形成多条第一金属焊垫层； 于所述第一金属焊垫层的两端表面形成金属柱； 于所述释放层表面形成覆盖所述金属柱和所述第一金属焊垫层的模塑层，减薄所述模塑层和所述金属柱； 于所述模塑层表面形成第二金属焊垫层，所述第二金属焊垫层将每条所述第一金属焊垫层两端的所述金属柱顺次连接； 通过所述释放层，去除所述衬底，从而形成3D电感IPD结构。
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