智新半导体有限公司焦双凤获国家专利权
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龙图腾网获悉智新半导体有限公司申请的专利一种IGBT电路系统测试方法及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115436715B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211192589.0，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种IGBT电路系统测试方法及电路是由焦双凤;余辰将;张鲲;刘洛宁;高峰;聂朝轩;焦梦婷;余明设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IGBT电路系统测试方法及电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种IGBT电路系统测试方法，以下步骤：给IGBT单管施加脉冲信号；通过电流探头得出总回路中的电流波形；通过电压探头得出各部件位置V1、V2、V3的电压波形；测试母线电源杂散电感；测试叠层铜排杂散电感；测试待测IGBT模块的总杂散电感。本发明的有益效果在于：本发明可以单独测量母线电容、叠层铜排、IGBT模块总杂散电感。
本发明授权一种IGBT电路系统测试方法及电路在权利要求书中公布了：1.一种IGBT电路系统测试方法，其特征在于，包括以下步骤： S10.给IGBT单管施加脉冲信号； S20.通过电流探头得出总回路中的电流波形； S30.通过电压探头得出各部件位置V1、V2、V3的电压波形； S40.测试母线电源杂散电感； S50.测试叠层铜排杂散电感； S60.测试待测IGBT模块的总杂散电感； 所述S40.测试母线电源杂散电感，包括以下步骤： S41.通过第一电压探头测量母线电源杂散电感两端的电压波形； S42.根据捕捉到的关断时刻的电压电流波形信号计算出母线电源杂散电感的数值； S50.测试叠层铜排杂散电感，包括以下步骤： S51.通过第二电压探头测量叠层铜排杂散电感两端的电压波形； S52.根据捕捉到的关断时刻的电压电流波形信号计算出叠层铜排杂散电感的数值； S60.测试IGBT模块的总杂散电感，包括以下步骤： S61.通过第三电压探头测量待测IGBT模块的正负铜排两端的电压波形； S62.根据捕捉到的关断时刻的电压电流波形信号计算出待测IGBT模块总杂散电感值。
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