广东工业大学陈溪强获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种二维材料异质结场效应晶体管、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211207800.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种二维材料异质结场效应晶体管、制备方法及应用是由陈溪强;郑照强设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维材料异质结场效应晶体管、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二维材料异质结场效应晶体管、制备方法及应用，属于晶体管技术领域，所述晶体管包括导电衬底、设置在所述导电衬底上的绝缘介质层、设置在所述绝缘介质层上的栅电极、设置在所述栅电极上的第一个二维材料层、设置在所述第一个二维材料层上的第二个二维材料层、分别设置在所述第二个二维材料层两端的源电极和漏电极，在所述源电极和漏电极之间为沟道区；所述第一个二维材料层与第二个二维材料层的材质不同，所述第一个二维材料层为铁电材料；所述第二个二维材料层与源电极及漏电极之间能形成欧姆接触。本发明提供的二维材料异质结场效应晶体管具有高达106的开关比，并且接近理论极限的亚阈值摆幅。
本发明授权一种二维材料异质结场效应晶体管、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种二维材料异质结场效应晶体管，其特征在于：包括：由导电衬底和设置在所述导电衬底上的绝缘介质层组成的基底1、设置在所述绝缘介质层上的栅电极2、设置在所述栅电极2上的第一个二维材料层3、设置在所述第一个二维材料层3上的第二个二维材料层4、分别设置在所述第二个二维材料层4两端的源电极5和漏电极6，在所述源电极5和漏电极6之间为沟道区； 所述第一个二维材料层3与第二个二维材料层4的材质不同，所述第一个二维材料层3为铁电材料；所述第二个二维材料层4与源电极5及漏电极6之间能形成欧姆接触； 所述第一个二维材料层与栅电极位于同一垂直平面上并且第二个二维材料层在与第一个二维材料层接触的同时不与栅电极在同一垂直面上； 所述第一个二维材料层选用CuInP2S6，厚度为30nm～100nm；所述第二个二维材料层选用WS2，厚度为10nm～70nm。
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