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龙图腾网获悉北京工业大学;北京航空航天大学申请的专利一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210894940.4，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件是由张永哲;黎旭红;陈小青;刘发民设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件在说明书摘要公布了：一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件，属于光电探测技术领域。以硅二氧化硅为衬底，二氧化硅上为二维铁电半导体材料选用α‑In2Se3，二维铁电材料α‑In2Se3上表面经过氧等离子体处理后形成界面绝缘介质层，绝缘介质层上边用机械剥离方法制备二维过渡金属硫族化合物；在二维铁电半导体材料和二维过渡金属硫族化合物上分别通过电极粘附层粘结金属电极。所述器件在二维铁电栅的作用下，得到暗电流低，响应度高的光电探测性能；该器件还有一定光记忆功能，适用于探测记忆一体的多功能器件；本发明的栅介质层制备方法简易，适用于大规模制备，成本低；可应用于光电探测技术领域和人工视觉仿生领域。

本发明授权一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件在权利要求书中公布了：1.一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件，其特征在于，在衬底1上制备有一条状二维结构的铁电半导体材料2，条状二维结构的铁电半导体材料2上有一层界面绝缘介质层3；在衬底1上还制备有一条状二维过渡金属硫族化合物材料4，条状二维过渡金属硫族化合物材料4与条状二维结构的铁电半导体材料2十字相交，相交处过渡金属硫族化合物材料4位于铁电半导体材料2上且过渡金属硫族化合物材料4与铁电半导体材料2之间有界面绝缘介质层3；条状二维结构的铁电半导体材料2的两端分别制备有独立的金属电极5，条状二维过渡金属硫族化合物材料4的两端分别制备有独立的金属电极5； 二维铁电半导体材料选用α-In2Se3；界面绝缘介质层3由氧等离子体照射二维铁电半导体材料α-In2Se3所得；在氧等离子体照射下，表面的α-In2Se3转变为In2Se3-xOx，氧等离子体照射功率为50-80W，照射时间为10-20min。

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