中山大学别亚青获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种双门压调控的近红外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211255624.9，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种双门压调控的近红外光电探测器及其制备方法是由别亚青;陈俊昕;张洲设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双门压调控的近红外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种双门压调控的近红外光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括硅片衬底、面内分离双门极结构、六方氮化硼层、转角双层石墨烯层和源极、漏极；面内分离双门极结构设于硅片衬底的顶部，且两个门极之间存在狭缝；六方氮化硼层设于面内分离双门极结构的上方，且两侧搭接在硅片衬底上；转角双层石墨烯层设于六方氮化硼层上方，且转角双层石墨烯层的中心与面内分离双门极结构的狭缝对应；源极、漏极的一端分别设于转角双层石墨烯层的顶部两侧，另一端分别设于硅片衬底的两侧。本发明的光电探测器可实现多模式的近红外光电流探测，同时具有光响应度随波长变化的对应关系和对偏振方向的强关联性，光电探测效果明显。
本发明授权一种双门压调控的近红外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双门压调控的近红外光电探测器，其特征在于，包括硅片衬底1、面内分离双门极结构2、六方氮化硼层3、转角双层石墨烯层4和源极5、漏极6； 所述面内分离双门极结构2设于所述硅片衬底1的顶部，且两个门极之间存在狭缝7；所述狭缝7的宽度为200nm； 所述六方氮化硼层3设于所述面内分离双门极结构2的上方，且两侧搭接在所述硅片衬底1上； 所述转角双层石墨烯层4设于所述六方氮化硼层3上方，且所述转角双层石墨烯层4的中心与所述面内分离双门极结构2的狭缝7对应； 所述源极5、漏极6的一端分别设于所述转角双层石墨烯层4的顶部两侧，所述源极5、漏极6的另一端分别设于所述硅片衬底1的两侧； 其中，通过在面内分离双门极结构2的左门极和右门极上分别施加不同的电压，近红外光电探测器能够在pn结、np结和晶体管模式间切换。
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