中国科学院上海微系统与信息技术研究所张国峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种超导器件的常温检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115494375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211307056.2，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种超导器件的常温检测方法及系统是由张国峰;王永良;邱隆清;荣亮亮;谢晓明设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导器件的常温检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种超导器件的常温检测方法及系统，包括：选择参考超导器件，测定参考超导器件的常温电阻值以及低温下的工作状态；若参考超导器件在低温条件下的工作状态正常，则将参考超导器件的常温电阻值作为参考值；若参考超导器件的状态不正常，则重新选择参考超导器件；在常温条件下，测试被测超导器件的常温电阻值并与参考值进行对比，判断被测超导器件是否损害。本发明利用了超导器件的常温特性进行检测，检测方法快速高效，能适用于晶圆上的超导芯片的批量检测。
本发明授权一种超导器件的常温检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种超导器件的常温检测方法，其特征在于，所述超导器件的常温检测方法包括： S1、选择参考芯片，验证参考芯片在低温条件下是否状态正常，若所述参考芯片的状态正常，则将所述参考芯片作为参考；若所述参考芯片的状态不正常，则重新选择参考芯片； S2、测定所述参考芯片上的参考超导器件的常温电阻值； S3、测定被测芯片上的被测超导器件的常温电阻值；所述参考超导器件和所述被测超导器件的构造、参数均相同且分别设置于两个芯片上； S4、所述被测超导器件的常温电阻值与所述参考超导器件的常温电阻值进行对比，若误差值小于等于预设值，则判定被测芯片为良品；若误差值大于预设值则判定被测芯片为次品。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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