北京北方华创微电子装备有限公司赵晋荣获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210586916.4，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备是由赵晋荣;茅兴飞;王松;姚卫杰;杨纪鹏;陈星;韦刚;陈国动;王伟;李岩;戴庚霖;杨延铭设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，该线圈结构中，每个线圈单元均包括M个线圈组，M为大于等于4的整数；M个线圈组的结构相同，且相互并联；M个线圈组中的各层所述平面线圈一一对应地同层设置，并且位于同一层的M个平面线圈沿平面线圈的圆周方向相互间隔，且均匀分布；线圈组包括相互平行的N层平面线圈，N为大于等于4的偶数；N层平面线圈沿垂直于平面线圈所在平面的方向间隔设置，且依次首尾串接；每相邻两层平面线圈在平面线圈所在平面上的正投影呈镜像对称。本发明的技术方案，既可以提高在线圈在其下方产生的耦合能量在径向、角向上的分布均匀性，又可以提高线圈的整体耐压能力，从而可以实现大功率馈入。
本发明授权用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备中用于产生等离子体的线圈结构，其特征在于，所述线圈结构包括至少一个线圈单元，每个所述线圈单元均包括M个线圈组，M为大于等于4的整数；M个所述线圈组的结构相同，且相互并联； 每个所述线圈组均包括相互平行的N层平面线圈，N为大于等于4的偶数；N层所述平面线圈沿垂直于所述平面线圈所在平面的方向间隔设置，且依次首尾串接；每相邻两层所述平面线圈在所述平面线圈所在平面上的正投影呈镜像对称； M个所述线圈组中的各层所述平面线圈一一对应地同层设置，并且位于同一层的M个所述平面线圈沿所述平面线圈的圆周方向相互间隔，且均匀分布。
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