北京北方华创微电子装备有限公司苏振宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种半导体工艺腔室及点火方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211109939.2，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种半导体工艺腔室及点火方法是由苏振宁设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体工艺腔室及点火方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体工艺腔室及点火方法，半导体工艺腔室不仅包括用于产生等离子体的工艺腔，还包括主点火装置、辅助点火装置和监测装置。本发明采用辅助点火装置可以使等离子体腔室内的等离子体点火更稳定、可靠，大幅减小或消除因为等离子体点火失败而产生的半导体设备失效时间；另外监测装置可有效监测等离子体点火是否成功，可以大幅减小或消除因为等离子体点火失败造成的晶圆未经等离子体工艺处理就流入半导体制造下一工序的问题，避免晶圆因此报废。
本发明授权一种半导体工艺腔室及点火方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，所述腔室包括用于产生等离子体的工艺腔，其特征在于，所述工艺腔包括上盖、侧壁以及设置于所述工艺腔内部用于承载待加工晶圆的基座； 在所述上盖的下方设置有上电极，在所述基座上设置有下电极，在所述上电极和或下电极上连接有主点火装置，在所述上电极或下电极上连接有辅助点火装置，所述基座上还设置有监测装置； 所述主点火装置，用于给所述工艺腔产生等离子体提供主点火能量； 所述辅助点火装置，用于给所述工艺腔产生等离子体提供辅助点火能量； 所述侧壁的外侧面上设置有凹槽，若干个点火辅助电极设置在所述凹槽里；所述侧壁的内侧面设置有与所述侧壁同圆心的介质筒； 所述监测装置，用于检测所述主点火装置和辅助点火装置是否点火成功。
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