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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利外延生长的KTO/NSTO薄膜及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210101796.4，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权外延生长的KTO/NSTO薄膜及其制备和应用是由任召辉;杨倩;王飞;方彦俊;李力奇;韩高荣设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本外延生长的KTO/NSTO薄膜及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了外延生长的KTONSTO薄膜及其制备和应用，其中，KTO外延薄膜具有大面积连续且平整的表面，且在KTONSTO异质结界面和KTO薄膜内部，原子按规则排列整齐，不存在无序区域和位错区域，K元素无明显缺失。该外延生长的KTONSTO薄膜是通过多次水热合成得到的。利用上述KTONSTO薄膜制得的X射线探测器，表现出超乎寻常的优异性能，在2V偏置电压下，在较宽的X射线剂量区间内均能观察到良好的台阶曲线，灵敏度和探测极限显著优于当前的商用X射线探测器；同时，该探测器在空气、高湿、辐照、冷热循环、高温下具有优异的电流响应稳定性。

本发明授权外延生长的KTO/NSTO薄膜及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种外延生长的KTONSTO薄膜的应用，其特征在于，所述应用为将所述外延生长的KTONSTO薄膜用于X射线探测器中，所述外延生长的KTONSTO薄膜由以下方法制备得到： 1将氢氧化钾水溶液与五氧化二钽粉末置于第一水热反应釜内胆中，加入去离子水，使得所述第一水热反应釜内胆中反应物料的体积为所述第一水热反应釜内胆容积的70~80%，所述反应物料中，氢氧化钾的浓度为4~10molL，五氧化二钽的浓度为0.0143~0.143molL；继续搅拌2~3h，得到第一反应前驱体的悬浊液； 2将清洗过的单晶NSTO基板置于反应支架上，一并放置于所述第一水热反应釜内胆中，再密封于反应釜外壳中，在140~230℃水热反应2~24h，得到生长有水热产物的基板； 3将氢氧化钾水溶液与五氧化二钽粉末置于第二水热反应釜内胆中，加入去离子水，使得所述第二水热反应釜内胆中反应物料的体积为所述第二水热反应釜内胆容积的70~80%，所述反应物料中，氢氧化钾的浓度为4~10molL，五氧化二钽的浓度为0.0143~0.143molL；继续搅拌2~3h，得到第二反应前驱体的悬浊液； 4将步骤2得到的生长有水热产物的基板置于反应支架上，一并放置于所述第二水热反应釜内胆中，再密封于反应釜外壳中，在140~230℃水热反应2~24h，得到KTONSTO薄膜。

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