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龙图腾网获悉山东大学;燕山大学申请的专利一种单晶β-Ga2O3MSM型探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211324539.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种单晶β-Ga2O3MSM型探测器及其制备方法是由黄传真;田龙;刘含莲;史振宇;姚鹏;刘盾;邹斌;朱洪涛;王真;王敏婷;王军;徐龙华;黄水泉;曲美娜;许征凯;关亚彬设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶β-Ga2O3MSM型探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶β‑Ga2O3MSM型探测器及其制备方法，包括如下步骤：采用激光辅助水射流加工技术在单晶β‑Ga2O3衬底上加工槽体，形成三维形貌；利用HF溶液对加工后的单晶β‑Ga2O3衬底进行湿法刻蚀，去除加工损伤；对处理后的单晶β‑Ga2O3衬底表面进行Au蒸镀，在单晶β‑Ga2O3衬底表面覆盖Au薄膜；对蒸镀后的单晶β‑Ga2O3衬底表面进行研磨，去除未加工表面的Au薄膜，保留槽体内的Au薄膜，即得。

本发明授权一种单晶β-Ga2O3MSM型探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶β-Ga2O3MSM型探测器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 采用激光辅助水射流加工技术在单晶β-Ga2O3衬底上加工槽体，形成三维形貌； 利用HF溶液对加工后的单晶β-Ga2O3衬底进行湿法刻蚀，去除加工损伤； 对处理后的单晶β-Ga2O3衬底表面进行Au蒸镀，在单晶β-Ga2O3衬底表面覆盖Au薄膜； 对蒸镀后的单晶β-Ga2O3衬底表面进行研磨，去除未加工表面的Au薄膜，保留槽体内的Au薄膜，即得； 激光辅助水射流加工技术中，纳秒激光的脉冲宽度为10~350ns，脉冲重复频率为315KHz、490KHz或1000KHz，扫描速度为1~16mms，水射流压强为4~16MPa； 激光单脉冲能量为0.02~0.1mJ，焦平面高度为-0.1~0.1mm； 湿法刻蚀的HF溶液的浓度为47%~49%； 湿法刻蚀温度5~25℃，刻蚀时间为8-15min； 所述槽体为倒梯形交叉槽体； 激光平均功率为20W、25W或30W； 加工次数为1、2或3次； 横向偏置距离为10μm或15μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学;燕山大学，其通讯地址为：250061 山东省济南市历下区经十路17923号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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