勤正科技(苏州)有限公司袁正秋获国家专利权
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龙图腾网获悉勤正科技(苏州)有限公司申请的专利一种硅氧负极材料的一体化制备系统及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115621434B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211142996.0,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权一种硅氧负极材料的一体化制备系统及方法是由袁正秋设计研发完成,并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅氧负极材料的一体化制备系统及方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种硅氧负极材料的一体化制备系统及方法,系统包括依次连通的一氧化硅生成装置、气化室、反应沉积室和分级出料装置,一氧化硅生成装置连接惰性引流稀释气源,气化室连接掺杂物供应装置和锂源供应装置,反应沉积室的头部连接碳源供气装置,尾部连接真空泵;制备方法包括制备气相一氧化硅、气相掺杂物、气相锂源,利用惰性气体将气相一氧化硅、气相掺杂物、气相锂源和气相碳源以一定顺序送至反应沉积室,并按一定顺序完成一氧化硅的沉积、掺杂、补锂和碳包覆,分级整形处理后得硅氧负极材料。本发明集一氧化硅制备、气相掺杂、碳包覆和补锂等工艺于一体,降低了设备投资和能耗,保证了掺杂、补锂和碳包覆的均匀性和一致性。
本发明授权一种硅氧负极材料的一体化制备系统及方法在权利要求书中公布了:1.一种硅氧负极材料的一体化制备系统,其特征在于,包括依次连通的一氧化硅生成装置、气化室、反应沉积室和分级出料装置; 所述一氧化硅生成装置连接有惰性引流稀释气源,所述一氧化硅生成装置用于制备气相一氧化硅; 所述气化室连接有掺杂物供应装置和锂源供应装置;所述掺杂物供应装置用于向气化室中定量提供掺杂物,并在气化室中生成气相掺杂物;所述锂源供应装置用于向气化室中定量提供锂源,并在气化室中生成气相锂源; 所述反应沉积室靠近气化室的头部连接有碳源供气装置,尾部连接有真空泵,所述碳源供气装置用于向反应沉积室靠近气化室的头部提供气相碳源; 在真空泵抽真空的条件下,利用惰性引流稀释气源提供的惰性气体将气相一氧化硅和气相掺杂物先后引流推送至反应沉积室,按照先后顺序完成一氧化硅的沉积和掺杂,然后将气相锂源和气相碳源以任意顺序或同时推送至反应沉积室,完成一氧化硅的补锂和碳包覆,获得固态产物,补锂和碳包覆都采用CVD方式,原子化均匀包覆在熟化中的一氧化硅颗粒表面;在分级出料装置中对固态产物进行分级整形处理,得到硅氧负极材料。
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