杭州美迪凯光电科技股份有限公司翁钦盛获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州美迪凯光电科技股份有限公司申请的专利应用在偏振阵列式波导片的分光膜镀膜片及其镀膜工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115685406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211602658.0，技术领域涉及：G02B1/10；该发明授权应用在偏振阵列式波导片的分光膜镀膜片及其镀膜工艺是由翁钦盛;龚博渊设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用在偏振阵列式波导片的分光膜镀膜片及其镀膜工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用在偏振阵列式波导片的分光膜镀膜片及其镀膜工艺，通过改进镀膜材料结构和镀膜工艺来满足镜片对膜层在反射时起到分光以及低吸收的作用。本发明为应用波长范围为380~780nm的应用在偏振阵列式波导片的分光膜镀膜片及其镀膜工艺，分光膜镀膜片具有低吸收，一定范围内的反射与要求范围内的透过，且制备成本较低，可靠性好，针对波长448‑657nm的光的反射率在9%‑15%之间，透光率≥82%，吸收率≤4%。
本发明授权应用在偏振阵列式波导片的分光膜镀膜片及其镀膜工艺在权利要求书中公布了：1.一种应用在偏振阵列式波导片的分光膜镀膜片，包括衬底基板，其特征是，所述分光膜镀膜片针对波长448-657nm的光的反射率在9%-15%之间，透光率≥82%，吸收率≤4%；所述衬底基板表面镀有功能膜，所述的功能膜包括多层层叠交错的介电质膜和金属膜，金属膜采用金属Ag层，介电质膜包括二氧化硅膜层、二氧化钛膜层、五氧化二钽膜层或五氧化二铌膜层中的一层或多层，与金属Ag层相邻层为五氧化二铌膜层，靠近所述衬底基板的最内层为所述介电质膜镀于所述衬底基板的内表面，远离所述衬底基板的最外层为二氧化硅介电质膜；介电质膜层的厚度为5-200nm；金属Ag层的膜厚为5-100nm。
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