索尼半导体解决方案公司井本努获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利固态成像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115715468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180043444.1，技术领域涉及：H04N25/779；该发明授权固态成像装置是由井本努;池田裕介;丹羽笃亲;铃木敦史;江藤慎一郎;高宫健一;丸山卓哉;日吉连设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态成像装置在说明书摘要公布了：本发明的目的在于抑制模式切换时的死区时间。根据本发明的一种固态成像装置包括：多个像素300，每个像素输出入射光的亮度变化；以及检测电路305，基于从每个像素输出的亮度变化来输出事件信号。每个像素包括：光电转换元件311，用于根据入射光量产生电荷；对数转换电路312，313，连接至光电转换元件，并将从光电转换元件流出的光电流转换为与所述光电流的对数值对应的电压信号；以及第一晶体管318，其漏极连接到对数转换电路的感测节点。
本发明授权固态成像装置在权利要求书中公布了：1.一种固态成像装置，包括： 多个像素，每个所述像素输出入射光的亮度变化；以及 检测电路，基于从每个所述像素输出的所述亮度变化输出事件信号， 其中，每个所述像素包括： 光电转换元件，根据入射光量产生电荷； 对数转换电路，连接到所述光电转换元件，并将从所述光电转换元件流出的光电流转换为对应于所述光电流的对数值的电压信号；以及 第一晶体管，所述第一晶体管的漏极连接至所述对数转换电路的感测节点， 其中，所述第一晶体管的源极连接到等于或高于参考电位并且低于电源电压的第一电位。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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