纳维达斯半导体有限公司黄秀成获国家专利权
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龙图腾网获悉纳维达斯半导体有限公司申请的专利用于降低反激式DC-DC转换器中漏感的影响的系统和方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115864846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211153670.8,技术领域涉及:H02M3/335;该发明授权用于降低反激式DC-DC转换器中漏感的影响的系统和方法是由黄秀成;李宾;杜韦静;周云设计研发完成,并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于降低反激式DC-DC转换器中漏感的影响的系统和方法在说明书摘要公布了:本申请涉及用于降低反激式DC‑DC转换器中漏感的影响的系统和方法。所述转换器具有:变压器,其具有初级绕组和次级绕组;第一开关和第二开关;电容器,其耦合在所述第二开关和所述初级绕组之间,其中所述第二开关被布置成操作使得第一时间段和第二时间段的总和等于第三时间段和第四时间段的总和,其中所述第一时间段是从所述第一开关断开的时间到所述第二开关接通的时间的延迟时间段,所述第二时间段是所述第二开关处于接通的时间段,所述第三时间段是由所述变压器的漏感和所述电容器的电容形成的谐振器的谐振时间段,并且所述第四时间段是将所述变压器的所述漏感排放到所述电容器中的时间段。
本发明授权用于降低反激式DC-DC转换器中漏感的影响的系统和方法在权利要求书中公布了:1.一种电路,其包含: 反激式DC-DC转换器,其包含: 变压器,其具有初级绕组和次级绕组,所述初级绕组从第一端子延伸到第二端子; 第一开关,其具有第一栅极端子、第一源极端子和第一漏极端子,所述第一漏极端子耦合到所述初级绕组的所述第一端子; 第二开关,其具有第二栅极端子、第二源极端子和第二漏极端子,所述第二源极端子耦合到所述初级绕组的所述第一端子;和 电容器,其耦合在所述第二漏极端子和所述初级绕组的所述第二端子之间; 其中所述第二开关被布置成在接通状态和断开状态之间转变,使得第一时间段和第二时间段的总和等于第三时间段和第四时间段的总和, 其中: 所述第一时间段是从所述第一开关断开的时间到所述第二开关接通的时间的延迟时间段; 所述第二时间段是所述第二开关处于接通的时间段; 所述第三时间段是谐振器的谐振时间段,所述谐振器由所述变压器的漏感和所述电容器的电容形成;并且 所述第四时间段是将所述变压器的所述漏感能量传递到所述电容器中的时间段。
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