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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利基于InSe场效应晶体管的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115876854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111125704.8，技术领域涉及：G01N27/327；该发明授权基于InSe场效应晶体管的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用是由陈翔;许多;李俊吉;李涵;熊云海;戴晨东;熊光楷;周钰凯;张地杰设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于InSe场效应晶体管的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于InSeFET的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用。所述传感器的构建包括：1将机械剥离得到的超薄InSe材料作为FET传感器的沟道材料；2将SiO2Si衬底上的超薄InSe通过ALD沉积Al2O3；3旋涂PMMA胶，利用EBL技术在PMMA层上构建电极图案；4通过EBE得到高质量的源、漏电极；5再次沉积Al2O3钝化层；6通过低镀率EBE沉积得到均匀分布的Au纳米颗粒作为探针位点；7利用EBL在沟道处制造窗口用于DNA探针修饰；8将器件孵育在含有DNA探针的磷酸缓冲液中。本发明的InSeFET传感器的电学性能良好，检测灵敏度高，可应用于新冠病毒的超低浓度核酸检测，同时具有核酸变异判断能力。

本发明授权基于InSe场效应晶体管的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用在权利要求书中公布了：1.基于InSe场效应晶体管的核酸检测传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将块体InSe材料机械剥离，得到超薄InSe材料； 2将超薄InSe材料浸泡在丙酮中去胶，筛选得到干净的超薄InSe材料，浸泡时间为1~2h，筛选得到的InSe材料厚度为6-9nm； 3将干净的超薄InSe材料通过原子层沉积技术沉积6-8个循环的氧化铝，ALD沉积氧化铝的参数为：工艺压力0.2Torr，底座温度200℃；单个循环工艺流程：Dose三甲基铝0.025s；清扫30s；Dose去离子水0.015s；清扫30s； 4在步骤3得到的样品表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯胶并烘干，利用电子束曝光技术在PMMA层上构建电极图案； 5在步骤4得到的样品表面通过电子束蒸镀先后蒸镀Cr、Au，丙酮去胶后得到高质量的CrAu源电极和漏电极； 6在步骤5得到的样品表面通过ALD沉积20-30个循环的氧化铝钝化层，ALD沉积氧化铝的参数为：工艺压力0.2Torr，底座温度200℃；单个循环工艺流程：Dose三甲基铝0.025s；清扫30s；Dose去离子水0.015s；清扫30s； 7利用低镀率电子束蒸镀在步骤6得到的样品表面蒸镀均匀分布的Au纳米颗粒作为探针结合位点； 8旋涂PMMA胶覆盖步骤7得到的样品，利用EBL去除沟道处的PMMA胶，最后将器件整体放置于含有DNA探针的磷酸盐缓冲液中，孵育得到基于InSeFET的核酸检测传感器。

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