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龙图腾网获悉哈尔滨工程大学申请的专利一种水听器离散梁膜融合声敏感芯片的过载或干扰信号释放及离散电容的增敏设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115900924B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111478354.3，技术领域涉及：G01H11/08；该发明授权一种水听器离散梁膜融合声敏感芯片的过载或干扰信号释放及离散电容的增敏设计方法是由陈丽洁;朴胜春;龚李佳;雷亚辉;张强;曲彦达;葛宣佐设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种水听器离散梁膜融合声敏感芯片的过载或干扰信号释放及离散电容的增敏设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种水听器离散梁膜融合声敏感芯片的过载或干扰信号释放及离散电容的增敏设计方法。在C形硅杯基座上制作的平膜分为多个子梁膜，多个子梁膜组成圆形平膜，每个子梁膜之间存在微米级间隙；每个子梁膜上制作有压电敏感膜及检测电容电极，每个子梁膜上的检测电容通过串联的方式连接。本发明用以解决如何在MEMS敏感结构有限尺寸之内实现传感器敏感芯片原始灵敏度增强，同时提高传感器抗过载能力，增强环境适应性；水听器离散梁膜融合声敏感芯片用于敏感水下声压等信号，制作声压水听器，也可以利用此芯片设计制作位移、压差、流量、流速、质点振动传感器以及空气介质中的相应参数的传感器。

本发明授权一种水听器离散梁膜融合声敏感芯片的过载或干扰信号释放及离散电容的增敏设计方法在权利要求书中公布了：1.一种水听器离散梁膜融合声敏感芯片结构的自动过载信号或干扰的释放方法，其特征在于，所述释放方法具体为，通过离散梁膜融合声敏感芯片结构设计自动实现过载信号或干扰的释放并可自动恢复正常敏感结构及敏感特性：当水介质中声压信号在敏感芯片设计的检测声压量程范围P之内时，离散梁膜融合声敏感芯片由于间隙阻尼的存在整体呈现为平膜结构，敏感模式为平膜敏感模式； 当水介质中存在超过两倍于设计的声压量程范围P的信号或干扰时，大的过载信号或干扰为动态信号，作用于平膜片上，使平膜片受压产生应力及应变分布，膜片中心的应力最大，挠度也最大，随着过载或干扰声压信号幅度的增加，膜片中心挠度的增大会使膜片沿间隙分瓣，使子梁膜之间距离增大，越接近中心位置，间隙越大，这时原有的平膜结构就分散成N个子梁膜3，此时水听器声敏感结构可等效为多个悬臂梁敏感结构，此时水听器声敏感芯片呈现为悬臂梁敏感模式，在各个子梁膜相应的应力变化敏感区设计检测电容电极将梁上的应力变化检测出来，转变为电信号输出；当外部的过载信号或干扰消失后，各个子梁膜会回到初始位置，由于子梁膜之间的间隙很小，在阻尼力的作用下，敏感结构又恢复为平膜结构，能继续对不大于两倍于所设计声压量程范围P的信号进行敏感检测； 所述声敏感芯片结构包括C形硅杯基座1与在C形硅杯基座上制作的平膜2，在所述C形硅杯基座上制作的平膜2分为多个子梁膜3，多个所述子梁膜3共同组成圆形平膜，每个所述子梁膜3之间存在微米级间隙4； 每个所述子梁膜3上制作有压电敏感层3-11及分布于压电敏感层3-11两侧的检测电极，即上电极3-10和下电极3-12形成检测电容，每个所述子梁膜3上的检测电容通过上电极3-10和相邻子梁膜的下电极3-12连接以实现检测电容串联。

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