西安紫光国芯半导体有限公司拜福君获国家专利权
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龙图腾网获悉西安紫光国芯半导体有限公司申请的专利一种SFGT存储阵列和存储芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110996511.3，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权一种SFGT存储阵列和存储芯片是由拜福君;俞冰;赵善真设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SFGT存储阵列和存储芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种SFGT存储阵列和存储芯片，SFGT存储阵列包含真实半浮栅阵列、参考半浮栅阵列和灵敏放大器；真实半浮栅阵列包含多个真实半浮栅存储单元、多条第一位线和多条第一字线，多条第一位线中的每条第一位线和多条第一字线中的每条第一字线相交设置，用于对真实半浮栅存储单元进行操作，多条第一位线中的每条第一位线与灵敏放大器的第一输入端连接，真实半浮栅存储单元设置在第一位线和第一字线相交的位置；参考半浮栅阵列包含多条第二位线，多条第二位线中的每条第二位线与灵敏放大器的第二输入端连接。在读取SFGT存储阵列中的存储单元内所存储的数据时，可以通过灵敏放大器对从存储单元读取出的信号进行放大，可以提高读取数据的效率。
本发明授权一种SFGT存储阵列和存储芯片在权利要求书中公布了：1.一种SFGT存储阵列，其特征在于，所述SFGT存储阵列包含真实半浮栅阵列、参考半浮栅阵列和灵敏放大器； 所述真实半浮栅阵列包含多个真实半浮栅存储单元、多条第一位线和多条第一字线，所述多条第一位线中的每条第一位线和所述多条第一字线中的每条第一字线相交设置，用于对所述真实半浮栅存储单元进行操作，所述多条第一位线中的每条第一位线与所述灵敏放大器的第一输入端连接，所述真实半浮栅存储单元设置在所述第一位线和所述第一字线相交的位置； 所述参考半浮栅阵列包含多条第二位线，所述多条第二位线中的每条第二位线与所述灵敏放大器的第二输入端连接。
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