北京北方华创微电子装备有限公司张图获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利薄膜沉积方法和薄膜沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115928034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211673888.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权薄膜沉积方法和薄膜沉积设备是由张图;杨依龙设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜沉积方法和薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种薄膜沉积方法和薄膜沉积设备，该包括：向预清洁腔室中通入还原气体，以通过与晶圆的待沉积表面上的氧化层发生还原反应，来去除氧化层；在第一沉积腔室中采用第一磁控溅射方法在晶圆的待沉积表面上沉积能够与晶圆互溶的第一金属层；其中，通过控制第一磁控溅射方法采用的基座温度，来获得第一金属层与晶圆的互溶组织。本发明提供的薄膜沉积方法和薄膜沉积设备，可以减少晶圆表面损伤，改善金属与晶圆的互溶效果，获得较理想的互溶组织，从而可以降低芯片接触电阻，提高产品性能，同时还可以简化工艺步骤，提高产能。
本发明授权薄膜沉积方法和薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括： 向预清洁腔室中通入还原气体，以通过与晶圆的待沉积表面上的自然氧化层发生还原反应，来去除所述氧化层； 在第一沉积腔室中采用第一磁控溅射方法在所述晶圆的待沉积表面上沉积能够与所述晶圆互溶的第一金属层；其中，通过控制所述第一磁控溅射方法采用的基座温度，来获得所述第一金属层与所述晶圆的互溶组织；所述第一磁控溅射方法中所述基座温度大于等于300℃，且小于等于380℃； 在第二沉积腔室中采用第二磁控溅射方法在沉积有所述第一金属层的所述晶圆上沉积第二金属层； 其中，通过控制所述第二磁控溅射方法采用的基座温度来冷却晶圆；所述第二磁控溅射方法中所述基座温度低于0℃； 在第三沉积腔室中采用第三磁控溅射方法在沉积有所述第二金属层的所述晶圆上沉积第三金属层；其中，通过控制所述第三磁控溅射方法采用的基座温度来冷却晶圆；所述第三磁控溅射方法中所述基座温度低于0℃。
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