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上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司方书农获国家专利权

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龙图腾网获悉上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司申请的专利一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115963692B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111187564.7,技术领域涉及:G03F7/004;该发明授权一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法是由方书农;王溯;耿志月;唐晨设计研发完成,并于2021-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法。本发明公开的光敏剂,其由光敏剂A和光敏剂B组成。采用本发明的光敏剂制得的i线光刻胶组合物在用于i线光刻时得到的光刻胶图形光敏性和分辨率高。

本发明授权一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法在权利要求书中公布了:1.一种i线光刻胶组合物,其由以下组分组成:酚醛树脂、光敏剂、有机硅流平剂和有机溶剂; 所述酚醛树脂为酚醛树脂A和酚醛树脂B的至少一种; 其中,所述酚醛树脂A的制备方法包括下列步骤:在草酸的作用下,将间甲酚、对甲酚、3,5-二甲酚和甲醛进行反应得到; 所述酚醛树脂B的制备方法包括下列步骤:在草酸的作用下,将间甲酚、对甲酚和甲醛进行反应得到; 所述有机硅流平剂为聚甲基苯基硅氧烷; 所述光敏剂由光敏剂A和光敏剂B组成;所述光敏剂A和光敏剂B的结构如下所示: ; 光敏剂A光敏剂B; 所述光敏剂A以重量份数计为10-20份; 所述光敏剂B以重量份数计为5-10份。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司,其通讯地址为:201616 上海市松江区思贤路3600号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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