株式会社斯库林集团根来世获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社斯库林集团申请的专利基板处理方法以及基板处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115989564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180052201.4，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权基板处理方法以及基板处理装置是由根来世;小林健司设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法以及基板处理装置在说明书摘要公布了：在基板W上形成有凹部95。凹部95的宽度比凹部95的深度短。在侧面95s的上部的至少一部分以及侧面95s的下部的至少一部分露出表示单晶硅、多晶硅以及非晶硅中的至少一个的蚀刻对象物。通过将溶解了非活性气体的碱性的第一蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。通过在第一蚀刻液被供给至基板W之前或者在第一蚀刻液被供给至基板W之后将溶解了溶解气体且溶氧浓度比第一蚀刻液高的碱性的第二蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。
本发明授权基板处理方法以及基板处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，对形成有凹部的基板进行处理，所述凹部的宽度比深度短，在所述凹部的侧面的上部的至少一部分以及所述侧面的下部的至少一部分露出表示单晶硅、多晶硅以及非晶硅中的至少一个的蚀刻对象物，其中， 所述基板处理方法包括： 第一蚀刻工序，通过将溶解了非活性气体的碱性的第一蚀刻液供给至所述基板，对在所述凹部的所述侧面露出的所述蚀刻对象物进行蚀刻；以及 第二蚀刻工序，通过将溶解了溶解气体且溶氧浓度比所述第一蚀刻液高的碱性的第二蚀刻液供给至所述基板，对在所述凹部的所述侧面露出的所述蚀刻对象物进行蚀刻， 被供给所述第一蚀刻液以及所述第二蚀刻液之前的所述凹部的宽度随着接近所述凹部的底而减小； 所述第二蚀刻工序为如下工序：以所述凹部的所述侧面的蚀刻量随着接近所述凹部的底而增加的方式，对所述凹部的所述侧面进行蚀刻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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