买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种半导体发光元件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053373B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211586914.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种半导体发光元件及制备方法是由黎国昌;江汉;徐志军;程虎;徐洋洋;王文君;苑树伟设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体发光元件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体发光元件及制备方法。半导体发光元件包括衬底；沉积在衬底上的多量子阱发光层；在多量子阱发光层上依次沉积的第一电子阻挡层、第一空穴加速层、第一空穴提供层，第一空穴加速层的In组分含量从靠近第一电子阻挡层一侧到靠近第一空穴提供层一侧相同或逐渐增大；在第一空穴提供层上依次沉积的第二电子阻挡层、第二空穴加速层、第二空穴提供层，第二空穴加速层的In组分含量从靠近第二电子阻挡层一侧到靠近第二空穴提供层一侧相同或逐渐增大。通过控制InGaN中In组分含量高低来控制InGaN势垒高低，可有效提升空穴注入效率，提升多量子阱发光层电子和空穴的复合效率，最终提升半导体发光元件的发光效果。

本发明授权一种半导体发光元件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括： 衬底； 沉积在所述衬底上的多量子阱发光层； 在所述多量子阱发光层上依次沉积的第一电子阻挡层、第一空穴加速层、第一空穴提供层，其中，所述第一空穴加速层的In组分含量从靠近所述第一电子阻挡层一侧到靠近所述第一空穴提供层一侧逐渐增大； 在所述第一空穴提供层上依次沉积的第二电子阻挡层、第二空穴加速层、第二空穴提供层，其中，所述第二空穴加速层的In组分含量从靠近所述第二电子阻挡层一侧到靠近所述第二空穴提供层一侧逐渐增大； 所述第一空穴加速层包括沿所述第一电子阻挡层至所述第一空穴提供层的方向依次沉积的第一GaN结构、第一InGaN结构、第一InN结构； 所述第一InGaN结构包括沿所述第一GaN结构至所述第一InN结构方向依次沉积的第一InGaN1结构、第一InxGa1-xN结构、第一InGaN2结构、第一InyGa1-yN结构、第一InGaN3结构；其中：所述第一InGaN1结构、所述第一InGaN2结构和所述第一InGaN3结构中的In渐变； 所述第二空穴加速层包括沿所述第二电子阻挡层至所述第二空穴提供层的方向依次沉积的第二GaN结构、第二InGaN结构、第二InN结构； 所述第二InGaN结构为沿所述第二GaN结构至所述第二InN结构方向依次沉积的第二InGaN1结构、第二InxGa1-xN结构、第二InGaN2结构、第二InyGa1-yN结构、第二InGaN3结构；其中：所述第二InGaN1结构、所述第二InGaN2结构和所述第二InGaN3结构中的In渐变。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人聚灿光电科技(宿迁)有限公司，其通讯地址为：223865 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。