厦门乾照光电股份有限公司卓祥景获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116111018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211659594.8，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件是由卓祥景;程伟;史成丹;王莎莎;万志;刘文辉设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件，该GaN基外延结构包括：设置在图形化蓝宝石衬底表面的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠岛状生长区、岛状快速合并区、超晶格生长区和GaN高质量区，其中，岛状生长区为柱状结构，其形成的晶体质量更好，位错密度更低；岛状快速合并区的原子扩散长度大于岛状生长区的原子扩散长度，能在岛状快速合并区产生位错线释放应力，并结合超晶格生长区使位错线在超晶格生长区中弯曲、倾斜，最终消失，既能获得超薄的GaN基外延结构，还能提高GaN基外延结构的晶体质量。
本发明授权一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件在权利要求书中公布了：1.一种GaN基外延结构，其特征在于，包括： 图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底的表面具有若干一体成型的凸起结构； 层叠在所述图形化蓝宝石衬底表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向依次层叠的岛状生长区、岛状快速合并区、超晶格生长区和GaN高质量区，所述第一方向垂直于所述图形化蓝宝石衬底，并由所述图形化蓝宝石衬底指向所述GaN高质量区； 其中，所述岛状生长区为柱状结构，所述岛状快速合并区的原子扩散长度大于所述岛状生长区的原子扩散长度； 且，所述超晶格生长区包括交替层叠设置的两种不同晶格常数的第一子层和第二子层。
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