杭州美迪凯微电子有限公司陈银培获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州美迪凯微电子有限公司申请的专利干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310056716.2，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺是由陈银培;刘耀菊;宁珈祺;吴超;杨巨椽设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其工艺步骤为：S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏底层胶达到设定的目标厚度；S2、在非光敏底层胶上层再涂覆一层光刻胶，光刻胶的厚度大于非光敏底层胶；S3、两层胶涂覆完毕后采用曝光显影坚膜的方式把上层的光刻胶做成具有正梯形或者倒梯形槽口的胶形，并裸露出需要去除的非光敏底层胶；S4、采用干法刻蚀的工艺对上层的光刻胶胶和裸露出来的非光敏底层胶一起进行干刻；S5、干刻后，通过去胶液将非光敏底层胶上层残留的光刻胶去除，最终得到正梯形或者倒梯形胶形的产品，完成干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺。本发明实现了胶形为正梯形或者倒梯形且斜面角度小于等于45°的图形化加工。
本发明授权干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺在权利要求书中公布了：1.一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其特征是，其工艺步骤为： S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏底层胶达到设定的目标厚度； S2、在非光敏底层胶上层再涂覆一层光刻胶，光刻胶的厚度大于非光敏底层胶； S3、两层胶涂覆完毕后采用曝光显影坚膜的方式把上层的光刻胶做成具有正梯形或者倒梯形槽口的胶形，并裸露出需要去除的非光敏底层胶； S4、采用干法刻蚀的工艺对上层的光刻胶胶和裸露出来的非光敏底层胶一起进行干刻； S5、干刻后，通过去胶液将非光敏底层胶上层残留的光刻胶去除，最终得到正梯形或者倒梯形胶形的产品，完成干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺； 步骤S4中，调整干法刻蚀的参数，使上层干刻胶的干刻速率与非光敏底层胶的干刻速率一致； 所述正梯形或者倒梯形槽口的斜面角度小于等于45°。
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