株式会社爱发科桥本笃明获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社爱发科申请的专利蚀刻方法和蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211414042.0，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权蚀刻方法和蚀刻装置是由桥本笃明;隣嘉津彦;小野洋平;堤贤吾;井上宽扬设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法和蚀刻装置在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制基板间的蚀刻量的分布的蚀刻方法和蚀刻装置。收纳在真空槽中的多个基板分别具备第1处理对象和第2处理对象。第1处理对象为硅氧化物层53，第2处理对象为硅氮化物层51或者被硅氧化物层53覆盖的硅层52。蚀刻方法包括下述工序：第1工序，将NH3气体和HF气体导入至真空槽，由此对第1处理对象进行蚀刻；以及第2工序，在第1工序后，将由包含NH3气体的气体生成的等离子体和NF3气体供给至真空槽，由此对第2处理对象进行蚀刻。
本发明授权蚀刻方法和蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其中， 收纳在真空槽中的多个基板分别具备第1处理对象和第2处理对象， 所述第1处理对象为硅氧化物层， 所述第2处理对象为硅氮化物层或者被所述硅氧化物层覆盖的硅层， 该蚀刻方法包括下述工序： 第1工序，将NH3气体和HF气体导入至所述真空槽，由此对所述第1处理对象进行蚀刻；以及 第2工序，在所述第1工序后，将由包含NH3气体的气体生成的等离子体和NF3气体供给至所述真空槽，由此对所述第2处理对象进行蚀刻， 向所述真空槽导入NH3气体的NH3气体导入口和向所述真空槽导入HF气体的HF气体导入口中的至少一者为对象口， 该蚀刻方法包括变更工序，在所述第1工序之前，改变所述对象口的位置，由此改变所述基板的中心与所述对象口之间的距离。
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