绍兴中芯集成电路制造股份有限公司傅思宇获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种测试结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310199791.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种测试结构及其测试方法是由傅思宇;闾新明设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测试结构及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种测试结构及其测试方法，测试结构包括依次堆叠设置的第一极板结构、介质层和第二极板结构，第一极板结构包括第一绝缘层以及嵌设在第一绝缘层中的第一电极层，介质层包括第一部分以及环设在第一部分外侧的第二部分，第二极板结构包括第二电极层，第一电极层和第二电极层正对设置，第一部分位于第一电极层和第二电极层之间，在第一电极层侧，第一绝缘层覆盖第二部分，第一绝缘层中形成有多个释放孔，所有释放孔间隔环绕在第一部分外侧，测试结构在牺牲层释放空腔结构工艺前后能够通过测试机台自动量测并获得牺牲层的侧掏距离，从而提高了侧掏距离的量测精度和测试效率，节省了测试时间和人力成本。
本发明授权一种测试结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，能够在牺牲层释放空腔结构工艺前后通过测试机台进行自动量测，其特征在于，所述测试结构包括由下至上依次堆叠设置的第一极板结构、介质层和第二极板结构， 所述第一极板结构包括第一绝缘层以及嵌设在所述第一绝缘层中的第一电极层，所述介质层包括第一部分以及环设在所述第一部分外侧的第二部分，所述第二极板结构包括第二电极层，所述第一电极层和第二电极层正对设置，所述第一部分位于所述第一电极层和第二电极层之间，在所述第一电极层侧，所述第一绝缘层覆盖所述第二部分，且所述第一绝缘层中形成有多个释放孔，所有所述释放孔间隔环绕在所述第一部分的外侧。
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