迈来芯电子科技有限公司B·布拉永获国家专利权
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龙图腾网获悉迈来芯电子科技有限公司申请的专利具有主轨道和诺纽斯轨道的位置传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116164778B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211493755.0，技术领域涉及：G01D5/14；该发明授权具有主轨道和诺纽斯轨道的位置传感器是由B·布拉永;C·肖特设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有主轨道和诺纽斯轨道的位置传感器在说明书摘要公布了：一种用于感测位置的感测系统和方法，包括用于产生磁场的第一磁轨和用于感测磁场的第二传感器，所述第一磁轨包括第一数量的多极，所述第一磁轨被牢固地固定到用于产生磁场的第二磁轨，从而形成磁结构。包括至少两个传感器。第一传感器接近第一磁轨定位，相比于靠近第二磁轨而言更靠近第一磁轨。第二传感器接近第二磁轨定位。第一传感器和第二磁轨之间的距离大于第二传感器和第二磁轨之间距离。由第一磁轨和第二磁轨产生的磁通密度遵循2或更高的比率。
本发明授权具有主轨道和诺纽斯轨道的位置传感器在权利要求书中公布了：1.一种用于感测位置的感测系统，包括： 用于产生磁场的第一磁轨和用于感测磁场的第一传感器，所述第一磁轨包括第一数量的多极； 用于产生磁场的第二磁轨和用于感测磁场的第二传感器，所述第二磁轨包括第二数量的多极，所述第二数量不同于所述第一数量； 所述第一磁轨和所述第二磁轨彼此牢固地固定，从而形成磁结构； 其中，所述第一传感器接近所述第一磁轨定位，相比于靠近所述第二磁轨而言更靠近所述第一磁轨，并且所述第二传感器接近所述第二磁轨定位，其中所述第一传感器和所述第二磁轨之间的距离大于所述第二传感器和所述第二磁轨之间的距离，其中由所述第一磁轨和所述第二磁轨产生的于相似气隙处在所述第一磁轨和所述第二磁轨各自的中心线上的磁通密度遵循2或更高的比率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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