华邦电子股份有限公司矢野胜获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211024699.6，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权半导体存储装置是由矢野胜设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种可使因电源电压的瞬停或变动等而中断的写入自动复位的半导体存储装置。本发明的非易失性存储器包括形成有或非型阵列及电阻变化型阵列的存储单元阵列。在向或非型阵列的写入过程中电源电压下降到断电电平的情况下，读写控制部将未写入数据写入电阻变化型阵列中。之后，在检测到电源电压的通电时，读写控制部从电阻变化型阵列读取未写入数据，并将未写入数据写入或非型阵列中，由此使中断的写入复位。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，包括： 存储单元阵列，包括具有或非型或与非型快闪存储器结构的第一存储单元阵列、及具有电阻变化型存储器结构的第二存储单元阵列； 控制部件，控制所述第一存储单元阵列或所述第二存储单元阵列中被选择的存储单元的读写；以及 第一检测部件，检测电源电压已下降至断电电平， 当在向所述第一存储单元阵列的写入动作过程中由所述第一检测部件检测到断电电平时，所述控制部件将至少未完成向所述第一存储单元阵列的写入的未写入数据写入所述第二存储单元阵列中， 其中，所述存储单元阵列包括所述第一存储单元阵列与所述第二存储单元阵列所共用的位线、及连接于所述第一存储单元阵列与所述第二存储单元阵列之间，且将所述位线选择性地连接或非连接于所述第二存储单元阵列的进入栅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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