无锡华润上华科技有限公司朱文明获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利MIM器件结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111443897.1，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权MIM器件结构的制备方法是由朱文明;郭崇永设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本MIM器件结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MIM器件结构的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层，且所述第一介质层中形成有第一导电插塞；在所述第一介质层上依次形成第一极板层、HK材料层以及第二极板层，且所述第一极板层与所述第一导电插塞电连接；光刻并刻蚀所述第一极板层、HK材料层以及第二极板层，以定义出铁电存储器区域，铁电存储器区域的第一极板层作为下电极，铁电存储器区域的HK材料层作为中间介质层，铁电存储器区域的第二极板层作为上电极。本发明提供了包含HK材料的MIM器件结构的制备方法，能够与传统CMOS制造工艺产线相兼容，且不会污染产线，获得高性能器件，能有效提高器件良率、可靠性和产品的市场竞争力。
本发明授权MIM器件结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MIM器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层，且所述第一介质层中形成有第一导电插塞； 在所述第一介质层上依次形成第一极板层、HK材料层以及第二极板层，且所述第一极板层与所述第一导电插塞电连接； 光刻并刻蚀所述第一极板层、HK材料层以及第二极板层，以定义出铁电存储器区域，所述铁电存储器区域的第一极板层作为下电极，所述铁电存储器区域的HK材料层作为中间介质层，所述铁电存储器区域的第二极板层作为上电极，所述第一极板层、HK材料层以及第二极板层的刻蚀方法仅包括如下步骤：将刻蚀设备的功率设置为0，且在预设压力和预设混合气体流量下保持预设时长；将刻蚀设备的功率设置为高功率模式，所述刻蚀方法的温度45℃。
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