江苏久耀新材料科技有限公司庄劲松获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏久耀新材料科技有限公司申请的专利羧基改性环硅氧烷的制备方法及低介电多孔聚酰胺液晶材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116217612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310114813.2，技术领域涉及：C07F7/21；该发明授权羧基改性环硅氧烷的制备方法及低介电多孔聚酰胺液晶材料及其制备方法是由庄劲松;李联伟;罗振宇;李连明;张政;蔡鹏设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本羧基改性环硅氧烷的制备方法及低介电多孔聚酰胺液晶材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种羧基改性环硅氧烷的制备方法及低介电多孔聚酰胺液晶材料及其制备方法，该液晶材料由芳香族二元胺、芳香族二元羧酸和羧基改性环硅氧烷三种单体缩聚，然后经两台挤出机分别挤出不发泡表层和超临界发泡芯层，通过共挤出而成型。该液晶聚合物材料表面层光滑平整，芯层多孔，密度可调，具有低介电常数与介电损耗，同时保持优异的力学性能，能够满足5G技术发展对低介电材料的需求。
本发明授权羧基改性环硅氧烷的制备方法及低介电多孔聚酰胺液晶材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种羧基改性环硅氧烷的制备方法，其特征在于，将摩尔比为5~8：1的烯酸类单体和环硅氧烷混合搅拌均匀，加入占烯酸类单体和环硅氧烷二者总体积分数0.1~0.3%、浓度为0.01gmL的氯铂酸异丙醇溶液，在55~65℃下反应3~6h。
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