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龙图腾网获悉上海御渡半导体科技有限公司申请的专利DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116302717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310233832.7，技术领域涉及：G06F11/20；该发明授权DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置是由马军;胡婷婷;胡汉周设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置在说明书摘要公布了：一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置，所述DRAM的存储区域包括若干个块组BlockGroup，每个块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct，每个块Block均拥有行冗余资源Rt，该方法包括检测得到所有故障点的分布地图；对每个块Block内故障点按关联关系分成若干个故障点组FailGroup，并计算求得每一个故障点组FailGroup的解空间；依次对所有故障点组FailGroup的解空间进行排列组合并寻找一个解，其以Rt个行冗余资源为限，使用尽可能多的块Block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源Cmin；将M个块Block的最小共享列冗余资源Cmin找到后，在块组BlockGroup层面做统计求和，如果M个块Block的Cmin的总数少于等于Ct，确定块组BlockGroup即可修复。因此，本发明优化了冗余资源使用策略。

本发明授权DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置在权利要求书中公布了：1.一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法，所述DRAM冗余资源布局包括至少一个所述DRAM的存储区域，每个所述存储区域包括N个块组BlockGroup，每一个所述块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct，每一个所述块Block均拥有行冗余资源Rt，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：对所述DRAM的主存储区域进行检测，得到每一个所述DRAM的存储区域所有故障点的分布地图； 步骤S2：将所有所述故障点的行和列分别作为一个节点，存入稀疏矩阵，即采用稀疏矩阵方式对所有所述故障点的分布地图进行数学建模，对每一个块Block内故障点按关联关系分成若干个故障点组FailGroup，计算求得每一个故障点组FailGroup的解空间；其中，所述解空间包括任何一个组合满足块Block的RxCy资源组合来修复限制的解，Rx为x行冗余资源，Cy为共享y列冗余资源； 步骤S3：依次对每一个故障点组FailGroup的解空间进行排列组合，并寻找一个解，所述解为以每一个块Block的行冗余资源Rt为限，使用尽可能多的块Block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源Cmin； 其中，所述排列组合包括：在每个故障点组FailGroup的解空间中各找一个解进行排列组合，搜寻所有的组合，找到满足Block的行冗余资源数，C的最小值，即作为块的解； 步骤S4：将M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin找到后，在所述块组BlockGroup层面做统计求和，如果M个所述块Block的最小共享列冗余资源Cmin的总数少于等于所述块组BlockGroup的冗余资源总数，确定所述块组BlockGroup即可修复，否则，确定所述块组BlockGroup不可修复。

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