中微半导体设备(上海)股份有限公司张辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种边缘环组件，薄膜生长装置、系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116411263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111661018.2，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权一种边缘环组件，薄膜生长装置、系统及方法是由张辉;姜银鑫设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种边缘环组件，薄膜生长装置、系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种边缘环组件，一种薄膜生长反应腔和系统以及一种薄膜生长方法，所述边缘环组件位于一薄膜生长反应腔内，所述反应腔内设置一支撑基片的托盘，所述边缘环组件环绕设置于所述托盘外围，所述边缘环组件包括一边缘调整环和一边缘支撑环；所述边缘调整环包括若干支撑桩；所述边缘支撑环在圆周方向上具有若干个支撑区间，同一支撑区间内设有不同高度的支撑面；当所述支撑桩的底面与不同高度的支撑面接触时可以实现对所述边缘调整环高度的调整。本发明可以延长边缘环组件的维护时间，提高薄膜生长反应腔的使用效率。
本发明授权一种边缘环组件，薄膜生长装置、系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜生长装置，包括一薄膜生长反应腔，其特征在于，所述反应腔内设置一支撑基片的托盘，所述托盘包括用于支撑基片的中心区域和沿中心区域向外延展的边缘区域，环绕所述基片的外围设置一边缘环组件，所述边缘环组件包括一边缘调整环和一边缘支撑环； 所述边缘调整环包括若干支撑桩； 所述边缘支撑环在圆周方向上具有若干个支撑区间，同一支撑区间内设有不同高度的支撑面； 所述支撑桩的底面与不同高度的所述支撑面接触，使得所述边缘调整环具有不同的高度； 所述反应腔内设置一旋转装置，所述旋转装置驱动所述托盘和所述边缘环组件旋转。
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