南京邮电大学杨晓磊获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利用于增强GH位移的缺陷准周期光子晶体结构及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116466416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310517873.9，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权用于增强GH位移的缺陷准周期光子晶体结构及其应用是由杨晓磊;储著杰;廖卓;朱晓俊;笪海霞设计研发完成，并于2023-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于增强GH位移的缺陷准周期光子晶体结构及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于增强GH位移的缺陷准周期光子晶体结构，它为四种不同折射率的介质按照排布规则组合形成的混合结构；所述排布规则定义为：位于中间的对称介质结构，以及位于对称介质结构两侧的准周期光子晶体结构；其中，对称介质结构由单层MoS2和对称分布在单层MoS2两侧的两层HfO2组成；准周期光子晶体结构，为以Pell序列为模板的Li2O层和Si层交替分布组成，两侧的准周期光子晶体结构分别以周期N和M叠加。本发明结构中单层MoS2被夹在由Pell序列排列的两个准周期光子晶体之间。通过优化所有组分的厚度和序列的周期数，在特定的工作波长下，设计结构的GH位移显著增强。
本发明授权用于增强GH位移的缺陷准周期光子晶体结构及其应用在权利要求书中公布了：1.一种用于增强GH位移的缺陷准周期光子晶体结构，其特征在于，该结构为四种不同折射率的介质按照排布规则组合形成的混合结构； 所述排布规则定义为：位于中间的对称介质结构，以及位于对称介质结构两侧的准周期光子晶体结构； 其中，对称介质结构由单层MoS2和对称分布在单层MoS2两侧的两层HfO2组成； 准周期光子晶体结构，由标为A和B的两种介电材料按照Pell序列构成，Pell序列表示为：，其中，，材料A和材料B分别采用Si和Li2O，两侧的准周期光子晶体结构分别以周期N和M叠加。
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