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龙图腾网获悉江苏天芯微半导体设备有限公司申请的专利一种密封结构及具有该密封结构的衬底处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116480777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210037773.1，技术领域涉及：F16J15/10；该发明授权一种密封结构及具有该密封结构的衬底处理设备是由刘自强;燕春;杨进设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种密封结构及具有该密封结构的衬底处理设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种密封结构，用于衬底处理设备的法兰、上顶和腔体之间的密封，包括：法兰‑上顶密封隔离组件，用于法兰与上顶之间的密封，以及上顶的垂直方向的防接触破裂保护；上顶‑腔体密封隔离组件，用于上顶与腔体之间的密封，以及上顶的垂直方向的防接触破裂保护；法兰‑腔体密封组件，用于法兰与腔体之间的密封；上顶水平方向隔离组件，用于上顶的水平方向的防接触破裂保护。本发明还涉及一种应用该密封结构的衬底处理设备。本发明可在实现高温状态下的衬底处理设备真空密封及上顶对中的基础上，在安装及工艺处理过程中完全隔绝石英与金属的直接接触，解决石英上顶存在碎裂风险的技术问题。

本发明授权一种密封结构及具有该密封结构的衬底处理设备在权利要求书中公布了：1.一种衬底处理设备，所述衬底处理设备用于半导体外延工艺，其特征在于，包括： 腔体，其材质为金属，其为内部中空、上端开口的腔室，用于容纳待处理的半导体衬底； 上顶，其材质为透明石英，其放置于所述腔体上端，用于使工艺处理需要的红外线穿透照射； 法兰，其材质为金属，其放置于所述腔体和所述上顶上端，中间有透空的上顶孔使所述上顶的中心无遮挡，安装后所述法兰与所述腔体上下扣合固定所述上顶； 密封结构，所述密封结构设置于所述上顶与腔体和法兰接触端，用于衬底处理设备的法兰、上顶和腔体之间的真空密封及所述上顶的防接触破裂保护； 其中，所述密封结构包括： 法兰-上顶密封隔离组件，设置于所述法兰与所述上顶之间，用于所述法兰与所述上顶之间的密封，以及所述上顶的垂直方向的防接触破裂保护； 上顶-腔体密封隔离组件，设置于所述上顶与所述腔体之间，用于所述上顶与所述腔体之间的密封，以及所述上顶的垂直方向的防接触破裂保护； 法兰-腔体密封组件，设置于所述法兰与所述腔体之间，用于所述法兰与所述腔体之间的密封； 上顶水平方向隔离组件，设置于所述上顶侧壁一周，用于所述上顶的水平方向的防接触破裂保护；所述上顶水平方向隔离组件包括两个隔离导向环，所述上顶的侧壁的上半部分和下半部分完全被两个隔离导向环环绕；所述隔离导向环上均匀分布多个弯曲变形释放槽； 高压氮气对中系统，设置于所述上顶侧壁外围；所述高压氮气对中系统通过各所述弯曲变形释放槽向所述上顶施加均匀的向内压力，以保持所述上顶与所述腔体对中。

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